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ESJL8810

带ESD保护,2个N沟道,20V,9.5A,11mΩ@4.5V,5A,0.7V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

描述
类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):20V 带ESD防护 连续漏极电流(Id):7.6A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.35mΩ@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA N沟道,20V,7.6A,13.5mΩ@10V
品牌名称
ElecSuper(静芯)
商品型号
ESJL8810
商品编号
C42420781
商品封装
SOT-23-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.103571克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7.6A
导通电阻(RDS(on))13.5mΩ@4.5V,5A
耗散功率(Pd)1.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))700mV@250uA
栅极电荷量(Qg)15nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.15nF@10V
反向传输电容(Crss)150pF@10V

商品概述

ESJL3134KW是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESJL3134KW为无铅产品。

商品特性

  • 20V,在VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 220mΩ(典型值)
  • 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 290mΩ(典型值)
  • 在VGS = 1.8V时,RDS(ON) = 420mΩ(典型值)
  • 采用沟槽MOSFET技术
  • 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
  • 材料:无卤
  • 可靠耐用
  • 雪崩额定
  • 低泄漏电流

应用领域

  • PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换

数据手册PDF