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ESJ3134KW
带ESD防护 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：0.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@4.5V,0.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
- 描述
- N/P极性：N @@漏源电压(V):20 @@漏源电流(A):0.88 @@阈值电压(V):0.75 @@导通电阻RDS(ON)@VGS 4.5V Type(mΩ):220 @@封装:SOT-323
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESJ3134KW
- 商品编号
- C42420767
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042434克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 880mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@10V |
商品概述
ESJ3134KW是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESJ3134KW为无铅产品。
商品特性
- 20V，栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 220mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 2.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 290mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 1.8V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 420mΩ（典型值）
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 具有雪崩额定值
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换