温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ESE6080K
N沟道，60V，80A，6mΩ@10.0V,30A，1.6V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESE6080K
- 商品编号
- C42420766
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.630244克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.82nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF@25V |
商品概述
ESE6080K是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESE6080K为无铅产品。
商品特性
- 60V，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 6 mΩ（典型值）@VGS = 10V
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换