温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ESJ2310
高性能功率MOSFET器件，深圳实验室配套电路优化&EMC整改服务
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：75mΩ@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESJ2310
- 商品编号
- C42420762
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 352pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF |
商品概述
ESJ2310是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下,提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESJ2310为无铅产品。
商品特性
- 60V,RDS(ON) = 75 m Ω(典型值)@ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 85 m Ω(典型值)@ VGS = 4.5 V
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定值
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换