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ESJ2303
P沟道，-30V，-1.5A，155mΩ@-10V,-1.5A，-1.75V@250uA；用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-1.5A 功率(Pd)：0.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：155mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.75V@250uA,-30V,-1.5A,155mΩ@10V
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESJ2303
- 商品编号
- C42420763
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 95pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF |
商品概述
ESJ2303采用先进的沟槽技术MOSFET,具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关,还适用于众多其他应用。
商品特性
- -30V,RDS(ON) = 155 mΩ(典型值)@VGS = -10V
- RDS(ON) = 265 mΩ(典型值)@VGS = -4.5V
- 快速开关
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换