- 引脚图
- 焊盘图
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VBA3205
VBA3205
- 描述
- SOP8；2个N—Channel沟道,20V；19.8A；RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.4V；是一款双N+N型MOSFET，采用Trench技术，适用于各种领域的电路设计和模块应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA3205
- 商品编号
- C42412407
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 235pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 926pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rq 测试
- 100% 进行 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- DC/DC 转换器
- 固定电信设备
- 笔记本电脑