HCSD19537Q3
HCSD19537Q3
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能特点，其连续排水电流ID可达80A，适用于大电流需求的电路设计；漏源击穿电压VDSS为100V，确保了在高压环境下的可靠性；导通状态下，其漏源电阻RDSON仅为6.4毫欧，有助于减少能量损耗，提高效率。此MOSFET支持最大栅源电压VGS为20V，适用于各种高功率密度转换器、电源开关及电池管理系统等领域中的精密控制应用。
- 商品型号
- HCSD19537Q3
- 商品编号
- C42401109
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 97W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.944nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
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原价
折合1圆盘
1+￥2.259￥2.51
10+￥2.205￥2.45
30+￥2.169￥2.41
100+￥2.142￥2.38￥11900
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购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个 )个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
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