HSSM3J331RLF
HSSM3J331RLF
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具备4.2A的最大漏极电流（ID/A），并能承受高达20V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）为48毫欧（mR），确保了在高频率开关应用中的低损耗性能。该MOSFET设计用于在不超过12V的栅源电压（VGS/V）下操作，适用于各种需要紧凑且高效解决方案的场合，例如消费电子设备中的电源管理或信号处理领域。
- 商品型号
- HSSM3J331RLF
- 商品编号
- C42401098
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 740pF@4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
5+￥0.35226￥0.3914
50+￥0.34452￥0.3828
150+￥0.33939￥0.3771
500+￥0.33417￥0.3713￥1113.9
优惠活动
库存总量
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购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个 )个
起订量：5 个3000个/圆盘
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