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HHUF75329D3S
N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）支持高达30A的连续漏极电流（ID/A），并且能够承受60V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧（mR），有助于减少功率损耗，提高效率。该MOSFET适用于在最大20V的栅源电压（VGS/V）条件下运行，是设计需要高效能及可靠性的开关电源、LED照明驱动以及消费电子产品的理想选择。
- 商品型号
- HHUF75329D3S
- 商品编号
- C42401099
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
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