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U3115D
功率MOSFET/IGBT半桥驱动器
- 描述
- U3115D/U3116D可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- U3115D
- 商品编号
- C41374690
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.20678克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 5V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 50ns | |
| 下降时间(tf) | 25ns | |
| 传播延迟 tpLH | 450ns | |
| 传播延迟 tpHL | 150ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 静态电流(Iq) | 70uA |