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U2181C
大电流IO±半桥驱动器
- 描述
- U2181C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的直通导通
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- U2181C
- 商品编号
- C41374696
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1715克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 2.5A | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 20ns | |
| 下降时间(tf) | 18ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 200ns | |
| 传播延迟 tpHL | 180ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 100uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护 |
商品概述
U2181C 是一款完全工作电压可达 +600V 的高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电平可低至 3.3V。输出驱动器级具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动级间串扰。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 600V。
商品特性
- 专为自举操作设计的浮动通道
- 完全工作电压可达 +600V
- 耐受负瞬态电压，对 dV/dt 噪声免疫
- 栅极驱动电源电压范围从 5V 到 20V
- 欠压锁定
- 兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑
- 双通道匹配的传播延迟
应用领域
- 家用电器
- 工业应用与驱动器
- 直流、交流、永磁直流和永磁交流电机
- 感应加热
- 暖通空调