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U3018F
降压型 2.5A 18V~180V
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- 描述
- U3018F是一款高性能低成本PWM控制功率器,适用于离线式小功率降压型应用场合,外围电路简单、器件个数少。同时产品启动模块内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。集成2.5A 180V MOS,支持降压和升降压拓扑,具有多模式PWM控制技术,可实现自动调节开关频率,降低待机功耗。
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- U3018F
- 商品编号
- C41374699
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1989克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 降压型；升降压型 | |
| 工作电压 | 18V~180V | |
| 输出电压 | 14.3V | |
| 输出电流 | 2.5A | |
| 开关频率 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(TA) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | 否 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 降压式 | |
| 静态电流(Iq) | 200uA | |
| 开关管(内置/外置) | 内置 | |
| 输出类型 | 可调 | |
| 功能特性 | 轻载高效模式；逐波限流；过流保护 |
商品概述
U3018F是一款适用于离线式小功率降压应用的高性能低成本PWM控制功率开关，其外围电路简单，所需元件数量少。该产品内置高压启动MOSFET，有助于提升系统的浪涌耐受能力。与传统PWM功率开关不同，U3018F内部没有固定时钟来驱动MOSFET，其开关频率可根据负载变化自动调节。芯片采用多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，改善了线性调整率和负载调整率，并消除了系统运行中的可闻噪声。此外，芯片内部的峰值电流检测阈值可根据实际负载情况自动调节，有助于降低空载时的待机功耗。U3018F集成了完备的、具备自恢复功能的保护特性，包括VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护以及VDD过压保护。
商品特性
- 输入电压范围：18~180V（输出：14.3V）
- 集成2.5A 180V MOSFET
- 集成200V高压启动电路
- 集成续流二极管
- 多模式控制，工作无噪声
- 支持降压及升降压拓扑结构
- 默认输出14.3V
- 待机功耗低于50mW
- 良好的线性调整率和负载调整率
- 集成软启动电路
- 过载保护
- 逐周期电流限制
- 输出过压保护
- VDD过压、欠压及电压箝位保护
- 超低静态工作电流，典型值200uA
- 高压启动与超低待机功耗（<50mW）
- 逐周期峰值电流限制与前沿消隐（消隐时间约350ns）
- 多模式PWM控制（调频与调幅结合）
- 集成4ms典型值的软启动电路
- 输出过压保护（检测到连续3个周期VF电压高于2.4V时触发）
- 过载保护/短路保护（状态持续100ms典型值后触发自动重启）
- 异常过流保护（检测阈值典型值0.6V，触发降频）
- 过热保护（结温超过150~℃典型值时触发自动重启）
- 优化的动态响应，减少负载切换时的输出电压跌落
- 消除可闻噪音
- VDD过压保护（典型阈值24V）与VDD电压箝位（26V稳压管）
- 自动重启保护机制
应用领域
- 电信90V电源系统
- 以太网POE
- 工业控制
- 逆变器系统