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U2115C
功率MOSFET/IGBT半桥驱动器
- 描述
- U2115C/U2116C可在高达+200V的电压下完全工作，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- U2115C
- 商品编号
- C41374691
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177387克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 5V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 50ns | |
| 下降时间(tf) | 25ns | |
| 传播延迟 tpLH | 450ns | |
| 传播延迟 tpHL | 150ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 静态电流(Iq) | 70uA |
商品概述
U2115C/U2116C是一款完全可在+200V下工作的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达200V。
商品特性
- 集成自举二极管
- 浮动通道专为自举操作而设计
- 可在+200V下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压，具备dV/dt抗扰性
- 栅极驱动电源范围为5至20V
- 欠压锁定功能
- 与3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
- 交叉导通预防逻辑
- 双通道的传播延迟匹配
应用领域
- 家用电器
- 工业应用与驱动器
- 电机驱动器
- 直流 - 交流转换器、永磁直流和永磁交流电机
- 感应加热
- 暖通空调