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U2115D

功率MOSFET/IGBT半桥驱动器

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描述: U2115D/U2116D可在高达+200V电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，可将驱动器的交叉导通降至最低
品牌名称: UNI-SEMIC(宇力半导体)
商品型号: U2115D
商品编号: C41374692
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.173克(g)

商品参数

商品概述

U2115D/U2116D 可在高达 +200V 电压下完全运行，是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于在高端配置中驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，最高工作电压可达 200 伏。

商品特性

集成自举二极管（最大 IF 0.8A）
浮动通道专为自举操作设计
可在高达 +200V 电压下完全运行
耐受负瞬态电压
抗 dV/dt 干扰
栅极驱动电源范围为 5 至 20V
欠压锁定
兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑
具备交叉导通预防逻辑
双通道匹配的传播延迟

应用领域

家用电器
工业应用与驱动器
电机驱动器
直流 - 交流转换器、永磁直流 (PMDC) 和永磁交流 (PMAC) 电机
感应加热
暖通空调

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(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1A
	拉电流(IOH)	1.2A
	工作电压	5V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	50ns
	下降时间(tf)	25ns
	传播延迟 tpLH	450ns
	传播延迟 tpHL	150ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃
	静态电流(Iq)	70uA