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U2103C
大电流IO±半桥驱动器
- 描述
- U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- U2103C
- 商品编号
- C41374693
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1765克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 400mA | |
| 工作电压 | 4.8V~20V | |
| 上升时间(tr) | 85ns | |
| 下降时间(tf) | 40ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 420ns | |
| 传播延迟 tpHL | 200ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 60uA | |
| 功能特性 | 内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
U2103C/U2106C是一款完全工作电压高达+600V的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器级采用高脉冲电流缓冲级设计，旨在最小化驱动交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。
商品特性
- 集成自举二极管
- 专为自举操作设计的浮动通道
- 完全工作至+600V
- 耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源电压范围4.8V至20V
- 欠压锁定
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- 交叉传导预防逻辑
- 双通道匹配的传播延迟
应用领域
- 家用电器
- 工业应用和驱动器
- 电机驱动器
- DC-AC转换器
- 感应加热
- HVAC