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TSP50N20M
1个N沟道 耐压:200V 电流:50A
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- 描述
- This Power MOSFET is produced using Truesemi's advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on- state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction based on half bridge topology.
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSP50N20M
- 商品编号
- C3647137
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 244nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ME15N25F是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
商品特性
- 50A、200V,最大RDS(on) = 0.046Ω(VGS = 10V时)
- 低栅极电荷
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高效开关模式电源
- 基于半桥拓扑的有源功率因数校正