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MEE7816S-G
N沟道，100V（D-S）MOSFET
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- 描述
- MEE7816S 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管，采用 Force-MOS 专利的扩展沟槽栅极（ETG）技术。这项先进技术专门用于最小化导通电阻和栅极电荷，并增强雪崩能力。这些器件特别适用于中压应用，如充电器、适配器、笔记本电脑电源管理及其他调光电源电路，以及需要极低在线功率损耗的超小外形表面贴装封装应用
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- MEE7816S-G
- 商品编号
- C3647158
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.099克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 16.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 314pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 119pF |
商品概述
N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOST沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路。
商品特性
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 21mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) = 25mΩ
- 在VGS = 1.8V时，RDS(ON) = 40mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 静电放电（ESD）保护，人体模型（HBM）≥2KV
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统-DC/DC转换器-负载开关-数码相机(DSC)-LCD显示器逆变器
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