温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ME2306A-G
N沟道，30V（D-S）MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- ME2306A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，并且能够以极小外形尺寸的表面贴装封装实现低线路功率损耗
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME2306A-G
- 商品编号
- C3647148
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用东微半导（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 在Vgs = 10 V时,RDS(ON) ≤ 34.5 mΩ
- 在Vgs = 4.5 V时,RDS(ON) ≤ 38 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时,RDS(ON) ≤ 50 mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
-笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器