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ME3424D-G
N沟道，30V（D-S）MOSFET，具备ESD保护功能
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- 描述
- N-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路，采用非常小的外形表面贴装封装。
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME3424D-G
- 商品编号
- C3647151
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品概述
MEE7816S是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Force - MOS专利的扩展沟槽栅极（ETG）技术。这项先进技术专门用于最小化导通电阻和栅极电荷，并增强雪崩能力。这些器件特别适用于中压应用，如充电器、适配器、笔记本电脑电源管理及其他调光电源电路，以及需要极低在线功率损耗的超小外形表面贴装封装应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) ≤ 28 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) ≤ 42mΩ
- 静电保护
- 超高密度单元设计,可实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
-笔记本电脑电源管理-便携式设备-负载开关