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ME4920
双N沟道 30V (D-S) MOSFET
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- 描述
- ME4920 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，以及需要极小外形尺寸表面贴装封装的低在线功率损耗应用
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME4920
- 商品编号
- C3647154
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
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