温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MEE3710T
N沟道，100 V（D-S）MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 是N-Channel增强型功率场效应晶体管，采用Force-MOS专利扩展沟槽栅（ETG）技术。这种先进技术特别适合于最小化导通电阻和栅极电荷，并增强雪崩能力。这些器件特别适用于中压应用，如充电器、适配器、笔记本电脑电源管理和其他调光电源电路，以及在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗的应用。
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- MEE3710T
- 商品编号
- C3647157
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 155W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.728nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WSD40120DN采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性，适用于
商品特性
- 在Vgs = 10 V时,RDS(ON) ≤ 23 mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 电源管理
- 同步整流
- 负载开关
相似推荐
其他推荐