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ME4425-G
P沟道，30V（D-S）MOSFET
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- 描述
- P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关且降低线路功耗的电池供电电路
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME4425-G
- 商品编号
- C3647152
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 312pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 383pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 40A，200V，最大导通电阻RDS(on)=65mΩ @ VGS=10V
- 低栅极电荷：Qg = 62 nC（典型值）
- 低反向传输电容：Crss = 50pF（典型值）
- 更低的电磁干扰（EMI）噪声
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准的器件
应用领域
- 高效开关模式电源
- 基于半桥拓扑的有源功率因数校正