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ME15N25F
N沟道，250V（D-S）MOSFET
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- 描述
- ME15N25F 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME15N25F
- 商品编号
- C3647147
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 61.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.277nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用芯导科技（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) ≤ 220mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- DC/DC转换器
- 负载开关
- LCD显示器逆变器