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ME15N25-G
N沟道，250V（D-S）MOSFET
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- 描述
- ME15N25是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME15N25-G
- 商品编号
- C3647146
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 265mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
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购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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