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TSA18N50MD
1个N沟道 耐压:500V 电流:18A
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- 描述
- 特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 最大限度地降低导通电阻。 提供卓越的开关性能。 能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 18.0A, 500V 最大。 RDS(on) = 0.37Ω @ VGS = 10V。 低栅极电荷（典型值 42nC）。 高耐用性。 快速开关。 100% 雪崩测试。 改善的 dv/dt 能力
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSA18N50MD
- 商品编号
- C3647143
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 370mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 235W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用了东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 18.0A、500V,最大导通电阻RDS(on)=0.37 Ω(VGS=10V时)
- 低栅极电荷(典型值42nC)
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-高效开关模式电源-基于半桥拓扑的有源功率因数校正
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