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TSA20N50MR
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术。该先进技术特别设计用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件适用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSA20N50MR
- 商品编号
- C3647145
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS (ON) = 0.45Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 7.5 S（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 600 V）
- 增强型：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
应用领域
-开关稳压器应用