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TSF20N50MR
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
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- 描述
- 特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 20A，500V，最大导通电阻 RDS(on) = 0.30Ω（VGS = 10V 时）。 低栅极电荷（典型值 45nC）。 高耐用性。 快速开关。 100% 雪崩测试，改善 dv/dt 能力。应用：高效开关电源。 基于半桥拓扑的有源功率因数校正
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSF20N50MR
- 商品编号
- C3647144
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过专门设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 50A，200V，最大RDS（on）=0.046Ω（VGS = 10V时）
- 低栅极电荷
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高效开关电源
- 基于半桥拓扑的有源功率因数校正
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