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TSK100N20M
1个N沟道 耐压:200V 电流:100A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用了东微半导（Truesemi）先进的平面条纹DMOS技术制造。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSK100N20M
- 商品编号
- C3647139
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 550W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.904nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 783pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 100A、200V,最大导通电阻RDS(on)=25mΩ(VGS=10V时)
- 低栅极电荷(典型值70nC)
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-高功率逆变器-切割机