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TSA40N25M
1个N沟道 耐压:250V 电流:40A
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- 描述
- 特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 低导通电阻。 卓越的开关性能。 能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 40A，250V，最大 RDS(on)=85mΩ @VGS=10V。 低栅极电荷：Qg = 62nC（典型值）。应用：高效开关模式电源。 基于半桥拓扑的有源功率因数校正
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSA40N25M
- 商品编号
- C3647140
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.704nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用东微半导（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 20A、500V，VGS = 10V时，最大RDS(on)=0.30 Ω
- 低栅极电荷（典型值45nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力