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TSA50N20M
1个N沟道 耐压:200V 电流:50A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。该器件适用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSA50N20M
- 商品编号
- C3647138
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 244nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.01nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 437pF |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
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