SI6433DQ
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI6433DQ
- 商品编号
- C3291382
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.193nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品概述
P沟道逻辑电平MOSFET的SuperSOT-8系列产品，专为替代行业标准SO-8小脚型产品而设计，具有薄型、小尺寸的特点。 这些P沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过优化，可在降低导通电阻的同时保持出色的开关性能。 这些器件非常适合便携式电子应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路以及DC/DC转换。
商品特性
- -3.2 A，-20 V。VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 0.050 Ω；VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 0.070 Ω。
- 低栅极电荷（典型值为13 nC）。
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)。
- SuperSOT™-8封装：小尺寸（比SO-8小40%）；薄型（厚度为1 mm）；最大功率与SO-8相当。
应用领域
- 便携式电子应用：负载开关和电源管理
- 电池充电电路
- DC/DC转换