FQA10N80
1个N沟道 耐压:800V 电流:9.8A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA10N80
- 商品编号
- C3291281
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.92W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，属于先进的功率MOSFET，经过设计、测试并保证在雪崩击穿工作模式下能承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 8.0A和9.2A，80V和100V
- rDS(ON) = 0.27Ω和0.36Ω
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载流子器件