IRF540
N沟道增强型MOSFET,电流:27A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRF540
- 商品编号
- C3290454
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 145W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
商品特性
- 硅芯片置于直接覆铜陶瓷基板（DCB）上
- 隔离安装面
- 4000V~ RMS 电气隔离
- 模塑环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 高压电源-电容放电应用-脉冲电路-激光和 x 射线发生系统