FDMS8672S
N沟道,电流:35A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS8672S
- 商品编号
- C3289561
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 337W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.515nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 380pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 740pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用了沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 17 A时,最大导通电阻rDS(on) = 5.0 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 15 A时,最大导通电阻rDS(on) = 7.0 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合,实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- 同步场效应晶体管肖特基体二极管
- MSL1级坚固封装设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 笔记本电脑Vcore/ GPU低端开关
- 网络负载点低端开关
- 电信次级侧整流