ISZ0803NLSATMA1
N沟道,电流:37A,耐压:100V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISZ0803NLSATMA1
- 商品编号
- C3289317
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 适用于高频开关
- 针对充电器进行优化
- 经过100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道、逻辑电平
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
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