IPB180P04P4L02ATMA2
1个P沟道 耐压:40V 电流:180A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB180P04P4L02ATMA2
- 商品编号
- C3289300
- 商品封装
- TO-263-7-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.4mΩ@100A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@410uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 286nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 18.7nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- P沟道 - 逻辑电平 - 增强型
- 通过AEC认证
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1
- 工作温度可达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试
- 用于电池反接保护
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