BSP149H6906XTSA1
1个N沟道 耐压:200V 电流:660mA
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSP149H6906XTSA1
- 商品编号
- C3288811
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.8Ω@660mA,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@400uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 14nC@5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 430pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- N沟道
- 耗尽型
- 具备dv/dt额定值
- 卷盘上带有VGS(th)标识
- 引脚无铅电镀;符合RoHS标准
- 符合AEC Q101标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
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