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IAUA200N04S5N010AUMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:200A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUA200N04S5N010AUMA1
- 商品编号
- C3288758
- 商品封装
- HSOF-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.94mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 132nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.13nF |
商品概述
基于LDMOS的250 W功率晶体管，适用于2400 MHz至2500 MHz频率范围内的各种商业和民用烹饪、工业、科学和医疗应用。 BLP2425M10S250P专为高功率连续波应用而设计，采用高性能塑料封装。
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOSTM功率MOSFET
- N沟道 - 增强型 - 标准电平
- 超出AEC - Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 湿敏等级3,最高260°C峰值回流温度
- 工作温度达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试
应用领域
-通用汽车应用。
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