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FDU6030BL

1个N沟道耐压:30V 电流:42A 电流:10A

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FDU6030BL
商品编号: C3288558
商品封装: IPAK
包装方式: 管装
商品毛重: 0.677克(g)

商品参数

商品概述

这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与上一代MDmesh产品相比，DM6结合了极低的反向恢复电荷（Qrr）、反向恢复时间（trr），并显著改善了单位面积导通状态下的漏源电阻（RDS(on)），具备市场上最有效的开关性能之一，适用于对效率要求极高的桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器。

商品特性

快速恢复体二极管
与上一代产品相比，单位面积导通状态下的漏源电阻（RDS(on)）更低
栅极电荷、输入电容和电阻低
100%经过雪崩测试
极高的dv/dt耐受能力
齐纳保护

应用领域

-开关应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	42A
	导通电阻(RDS(on))	16mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	50W
	阈值电压(Vgs(th))	3V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	31nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.143nF
	反向传输电容(Crss)	107pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	249pF