FDU6676AS
N沟道,电流:90A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDU6676AS
- 商品编号
- C3288554
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDU6676AS旨在替代同步DC/DC电源中的单个MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率,提供低RDS(ON)和低栅极电荷。FDU6676AS采用仙童半导体的单片式SyncFET技术,将MOSFET与肖特基二极管进行单片集成,拥有专利技术组合。
商品特性
- RDS(ON) = 最大5.8 mΩ,VGS = 10 V
- RDS(ON) = 最大7.3 mΩ,VGS = 4.5V
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 集成SyncFET肖特基二极管
应用领域
-DC/DC转换器
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