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FDU6676AS

N沟道,电流:90A,耐压:30V

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FDU6676AS
商品编号: C3288554
商品封装: IPAK
包装方式: 管装
商品毛重: 0.677克(g)

商品参数

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅面积尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，且二极管的反向恢复时间和存储电荷极低。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

RDS(ON) = 最大5.8 mΩ,VGS = 10 V
RDS(ON) = 最大7.3 mΩ,VGS = 4.5V
高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
低栅极电荷
高功率和电流处理能力
集成SyncFET肖特基二极管

应用领域

-DC/DC转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	90A
	导通电阻(RDS(on))	5.8mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	70W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3V
	栅极电荷量(Qg)	64nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.47nF
	反向传输电容(Crss)	260pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道