FQU3P20TU
P沟道,电流:-2.4A,耐压:200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQU3P20TU
- 商品编号
- C3288552
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- N沟道，常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 适用于高频开关和同步整流