NDB4060
1个N沟道 耐压:60V 电流:15A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDB4060
- 商品编号
- C3288208
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
- 15A、60V。在VGS = 10V时,RDS(ON) = 0.10Ω。
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 最高结温额定值为175°C。
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 提供TO - 220和TO - 263 (D2PAK)封装,适用于通孔和表面贴装应用。
应用领域
- 标准应用：计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
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