FQB32N12V2TM
N沟道,电流:32A,耐压:120V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB32N12V2TM
- 商品编号
- C3288175
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 405pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于直流 - 直流转换器、同步整流以及其他需要极低导通电阻(Rds(on))的应用。
商品特性
- 32A、120V,在VGS = 10V时,RDS(on) = 0.05Ω
- 低栅极电荷(典型值41nC)
- 低Crss(典型值70pF)
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力