FDZ299P
P沟道,电流:4.6A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ299P
- 商品编号
- C3288047
- 商品封装
- BGA-9(2x2.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 742pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 158pF |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用而设计，采用了最新的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于汽车应用及各种其他应用的高效可靠器件。
商品特性
- 4.6 A,-20 V;VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 55 mΩ
- VGS = -2.5 V时,RDS(ON) = 80 mΩ
- 仅占用2.25 mm2的PCB面积,不到SSOT - 6面积的50%
- 超薄封装:安装到PCB上时高度小于0.80 mm
- 出色的热传递特性:比SSOT - 6好4倍
- 超低的Qg × RDS(ON)品质因数
- 高功率和高电流处理能力。
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护