FDZ204P
P沟道,电流:4.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ204P
- 商品编号
- C3288046
- 商品封装
- BGA-9(2x2.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 884pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 103pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 258pF |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端设计方案，在不随时间降低性能的前提下，增强了耐压能力。此外，这款先进的高压MOSFET经过设计，可承受雪崩和换向模式下的高能量。其节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥式电路，并且能为意外电压瞬变提供额外的安全余量。
商品特性
~~- 规定雪崩能量-源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当-二极管针对桥式电路应用进行了特性表征-规定高温下的IDSS和VDS(ON)
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护