FDZ7064N
30V N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET,电流:13.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ7064N
- 商品编号
- C3288044
- 商品封装
- BGA-30(4x3.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.843nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 522pF |
商品概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面 DMOS 技术制造。这种先进技术经过专门优化，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和基于半桥的电子灯镇流器。
商品特性
- 10A、400V，栅源电压（VGS） = 10 V 时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 0.54 Ω
- 低栅极电荷（典型值 41 nC）
- 低 Crss（典型值 35 pF）
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
-高效开关模式电源-基于半桥的电子灯镇流器