FDZ7064N
30V N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET,电流:13.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ7064N
- 商品编号
- C3288044
- 商品封装
- BGA-30(4x3.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.843nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 522pF |
商品概述
FDZ7064N将仙童的30V PowerTrench工艺与先进的BGA封装相结合,最大限度地减少了PCB空间和RDS(ON)。这款BGA MOSFET代表了封装技术的一项突破,使器件能够兼具出色的热传导特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷和低RDS(ON)。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比,这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷,从而使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
商品特性
- RDS(ON) = 7.0 mΩ @ VGS = 10 V
- 13.5 A,30 V。RDS(ON) = 8.0 mΩ @ VGS = 4.5 V
- 仅占用 14 mm^2 的PCB面积,仅为SO - 8封装面积的42%
- 超薄封装:安装到PCB上时高度小于 0.8 mm
- 占位面积为 3.5 x 4 mm^2
- 高功率和电流处理能力。
应用领域
-DC/DC转换器-螺线管驱动