FDZ208P
P沟道,电流:-12.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ208P
- 商品编号
- C3288042
- 商品封装
- BGA-30(4x3.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.409nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FDZ202P将先进的2.5V特定PowerTrench工艺与先进的BGA封装相结合，最大限度地减少了PCB空间和RDS(ON)。这款BGA MOSFET体现了封装技术的突破，使该器件兼具出色的热传递特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷和低RDS(ON)等优点。
商品特性
- 在VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 75 mΩ
- 5.5 A，-20 V。在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 45 mΩ
- 仅占用5 mm²的PCB面积，仅为SSOT - 6面积的55%
- 超薄封装：安装到PCB上时高度小于0.80 mm
- 出色的热传递特性：比SSOT - 6好4倍
- 超低的Qg × RDS(ON)品质因数
- 高功率和高电流处理能力
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护