FDZ2554P
P沟道,电流:-6.5A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ2554P
- 商品编号
- C3288038
- 商品封装
- BGA-18(2.5x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 245pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 425pF |
商品概述
这款功率MOSFET具有低导通电阻的特点。该器件适用于便携式设备的电源开关等应用。最适合单节锂离子电池应用。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -6.5 A时,最大导通电阻rDS(on) = 28 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -5 A时,最大导通电阻rDS(on) = 45 mΩ
- 仅占用0.10 cm2的PCB面积,为SO-8封装面积的三分之一
- 超薄封装:安装到PCB上时高度小于0.80 mm
- 出色的热传递特性:明显优于SO-8封装
- 极低的Qg x rDS(on)品质因数
- 高功率和高电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护