FDZ209N
N沟道,电流:4A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ209N
- 商品编号
- C3288036
- 商品封装
- BGA-12(2x2.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 657pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端方案，在不随时间降低性能的情况下，提供增强的耐压能力。此外，这款先进的高压MOSFET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 坚固的高压终端
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥式电路
- 规定高温下的漏源泄漏电流（IDSS）和漏源导通电阻（VDS(on)）
- 可替代MTD1N40E
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-桥式电路