RM2003
N和P沟道,电流:3A,耐压:20V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM2003
- 商品编号
- C3280194
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过专门优化，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。 这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压及电池供电应用。
商品特性
- N沟道
- VDS = 20V,ID = 3A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 35mΩ
- 当VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 55mΩ
- P沟道
- VDS = -20V,ID = -3A
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 75mΩ
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 100mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
- 无卤素
- 产品型号后缀V表示符合AEC - Q101标准,例如:RM2003V